尽管美国实施出口管制以限制中国公司的能力，中国长鑫存储（CXMT）在芯片制造技术方面取得了突破。
据加拿大咨询公司TechInsights的分析，长鑫存储的DDR5动态随机存取存储器技术，在一些内存模块中有所应用，这需要先进的制造技术，而这些技术以前在中国市场上并不常见。TechInsights的一位代表在接受彭博新闻采访时表示：“这意味着他们找到了以商业规模设计和制造这种芯片的独特方法。TechInsights原预计这种存储器要到2025年末或2026年初才会出现。”
这一发现突显了中国公司在面对美国旨在限制中国芯片制造能力的出口管制时，如何发展出韧性。这些管制措施禁止美国公司在未经华盛顿批准的情况下，向中国提供能够制造晶体管之间“半间距”为18纳米或更小的DRAM芯片的技术或设备。而长鑫存储最新的芯片半间距为16纳米。
半导体中更小的纳米间距意味着更好的性能和功率密度。此外，中国人工智能初创公司推出了一款模型，据称在一系列行业基准测试中，其性能与OpenAI等美国领先开发者不相上下，甚至超越了他们。
DDR5于2020年首次亮相，是目前包括三星和海力士等行业领导者提供的主流DRAM产品。它可以用于制造人工智能加速器所需的高带宽存储芯片，例如英伟达开发的芯片。
尽管如此，根据TechInsights的分析，长鑫存储的最新技术仍落后于韩国双雄和美国的美光公司约三年。在同一项研究中，TechInsights还发现长江存储在与行业领导者的竞争中变得更具竞争力。
长鑫存储的突破是在其他中国公司在先进技术领域取得成就之后实现的，包括华为开发了具有7纳米工艺的尖端芯片。
分析大模型：gemma2
得分：60
原因：
文章主要聚焦中国公司在芯片技术上的突破，强调了中国公司在面对美国出口管制时的韧性，并赞扬了其技术进步，整体基调是正面的。
原文地址：China’s CXMT Memory Chip Breakthrough Beats US Export Controls
新闻日期：2025-01-28
